Hersteller Produktnummer:
TSM110NB04DCR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM110NB04DCR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
14882 Stück Neu Original Auf Lager
12921951
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TSM110NB04DCR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta), 48A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1506pF @ 20V
Leistung - Max
2W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Basis-Produktnummer
TSM110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
1801-TSM110NB04DCRRLGTR
1801-TSM110NB04DCRTR-DG
1801-TSM110NB04DCRCT-DG
1801-TSM110NB04DCRDKR-DG
1801-TSM110NB04DCRRLGCT
1801-TSM110NB04DCRRLGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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